发明名称 |
平坦化晶圆表面的方法 |
摘要 |
一种平坦化晶圆表面的方法,包括:提供衬底,所述衬底上形成有隔离有源区的隔离沟槽,隔离沟槽内填充有氧化物,该氧化物高出衬底表面;用粘度为1~3厘泊的有机物涂覆所述衬底和氧化物组成的表面形成有机物涂层,且有机物涂层的表面高出氧化物的表面;用干法刻蚀去除高出衬底表面的氧化物以及有机物涂层,以平坦化晶圆的表面。本发明的方法可以降低隔离沟槽(STI)与衬底之间台阶高度,而且该方法在降低台阶高度时,隔离沟槽与衬底之间不会形成空隙,从而可以提高器件的性能;而且,可以提高产品的产率。 |
申请公布号 |
CN102386084A |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN201010275157.7 |
申请日期 |
2010.09.01 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
沈满华;卢炯平 |
分类号 |
H01L21/302(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种平坦化晶圆表面的方法,其特征在于包括:提供衬底,所述衬底上形成有隔离有源区的隔离沟槽,所述隔离沟槽内填充有氧化物,该氧化物高出衬底表面;用粘度为1~3厘泊的有机物涂覆所述衬底和氧化物组成的表面形成有机物涂层,且有机物涂层的表面高出氧化物的表面;用干法刻蚀去除高出衬底表面的氧化物以及有机物涂层,以平坦化晶圆的表面。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |