发明名称 平坦化晶圆表面的方法
摘要 一种平坦化晶圆表面的方法,包括:提供衬底,所述衬底上形成有隔离有源区的隔离沟槽,隔离沟槽内填充有氧化物,该氧化物高出衬底表面;用粘度为1~3厘泊的有机物涂覆所述衬底和氧化物组成的表面形成有机物涂层,且有机物涂层的表面高出氧化物的表面;用干法刻蚀去除高出衬底表面的氧化物以及有机物涂层,以平坦化晶圆的表面。本发明的方法可以降低隔离沟槽(STI)与衬底之间台阶高度,而且该方法在降低台阶高度时,隔离沟槽与衬底之间不会形成空隙,从而可以提高器件的性能;而且,可以提高产品的产率。
申请公布号 CN102386084A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201010275157.7 申请日期 2010.09.01
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 沈满华;卢炯平
分类号 H01L21/302(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I 主分类号 H01L21/302(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种平坦化晶圆表面的方法,其特征在于包括:提供衬底,所述衬底上形成有隔离有源区的隔离沟槽,所述隔离沟槽内填充有氧化物,该氧化物高出衬底表面;用粘度为1~3厘泊的有机物涂覆所述衬底和氧化物组成的表面形成有机物涂层,且有机物涂层的表面高出氧化物的表面;用干法刻蚀去除高出衬底表面的氧化物以及有机物涂层,以平坦化晶圆的表面。
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