压电晶体精微加工用高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的生产方法

摘要

本发明涉及压电晶体精微加工用高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的生产方法，可有效解决对压电晶体精微加工用高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的生产，解决市场需要问题，其解决的技术方案是，将α-三氧化二铝或碳化硅粉料同水及活性剂混合在一起，经搅拌反应，在搅拌反应的同时，再加入活性剂和水，使物料充分搅拌、反应、研磨后，再经溢流分级，收集后脱水干燥，经筛松后，即为成品，本发明方法简单，独特，生产成本低，易操作，加工生产的产品纯度高、质量好，完全满足压电晶体精微加工用高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的要求，经济和社会效益巨大。

主权项

一种压电晶体精微加工用α‑三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的生产方法，其特征在于，将α‑三氧化二铝或碳化硅粉料和水及表面活性剂分别同时加入搅拌反应容器内，搅拌、反应、研磨，其加入量以重量比计为：α‑三氧化二铝或碳化硅粉料∶水＝1∶5，表面活性剂加入量为α‑三氧化二铝或碳化硅和水重量和的0.03％，水加入搅拌反应容器内的速度为10L‑1200L/h，搅拌速度为25‑100转/min，在上述搅拌、反应、研磨过程中，再同时加入α‑三氧化二铝或碳化硅、水和表面活性剂重量和的0.03％的表面活性剂，搅拌、反应、研磨温度为18‑30℃，时间为3‑4小时，然后搅拌、反应、研磨液经溢流分级，收集，分级的收集液中加入0.01％的沉淀剂，沉淀时间为3‑5分钟，沉淀后，再100‑200℃下烘干脱水，使其含水量在0.01‑0.05％，然后经震动筛松分散，即为成品，纯度≥99.6％，基本粒D50≥70％，粒度为0.2‑7μm。