双应力衬垫半导体器件的形成方法

摘要

一种双应力衬垫半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相接的第一区域和第二区域，分别形成有PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述第一区域和第二区域相接部分的基底上还形成有互连结构；在所述基底上依次形成可灰化衬垫层和双应力衬垫层；在所述双应力衬垫层上形成介质层；刻蚀所述介质层，在所述PMOS晶体管、NMOS晶体管和互连结构的接触电极上方分别形成通孔，暴露出所述双应力衬垫层；刻蚀所述通孔底部的双应力衬垫层，暴露出所述可灰化衬垫层；灰化去除所述通孔底部的可灰化衬垫层，暴露出所述PMOS晶体管、NMOS晶体管和互连结构的接触电极。本发明避免了形成通孔的过程中对接触电极中的金属硅化物造成的损伤。

主权项

一种双应力衬垫半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相接的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域中分别形成有PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述第一区域和第二区域的相接部分的基底上还形成有互连结构；在所述基底上依次形成可灰化衬垫层和双应力衬垫层，覆盖所述PMOS晶体管、NMOS晶体管和互连结构；在所述双应力衬垫层上形成介质层；刻蚀所述介质层，在所述PMOS晶体管、NMOS晶体管和互连结构的接触电极上方分别形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，底部暴露出所述双应力衬垫层；刻蚀所述第一通孔、第二通孔和第三通孔底部的双应力衬垫层，暴露出所述可灰化衬垫层；灰化去除所述第一通孔、第二通孔和第三通孔底部的可灰化衬垫层，暴露出所述PMOS晶体管、NMOS晶体管和互连结构的接触电极。