发明名称 光掩模基板以及光掩模制作方法
摘要 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时,由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了,从而以高精确度制造出光掩模。
申请公布号 CN102385241A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201110383933.X 申请日期 2007.03.09
申请人 信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社 发明人 吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;小岛洋介;千叶和明;福岛佑一
分类号 G03F1/32(2012.01)I;G03F1/46(2012.01)I 主分类号 G03F1/32(2012.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李跃龙
主权项 一种光掩模基板,由它制造光掩模,该光掩模包括透明衬底和在其上形成的包括对曝光光是透明的区域和有效地不透明的区域的掩模图案,所述光掩模是半色调相移掩模,所述光掩模基板包括透明衬底,设置在衬底上的光屏蔽膜,以及介于它们之间的另一膜,所述另一膜是半色调相移膜,所述光屏蔽膜包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物,设置在光屏蔽膜上的减反射膜,以及形成在所述减反射膜上的蚀刻掩模膜,所述掩模膜包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物,其中在使用除去了蚀刻掩模膜的光掩模的情况下,光屏蔽膜、减反射膜和所述半色调相移膜的组合的光密度为至少2.5。
地址 日本东京