发明名称 | 存储器 | ||
摘要 | 提供一种能抑制非选择存储器单元的数据消失的干扰现象。该存储器具备存储器单元阵列(1),其包括:位线;配置为与位线交叉的字线;连接在位线与字线之间的存储器单元(12)。而且,在该存储器中,通过对所选择的存储器单元(12)进行的包括读出动作、重新写入动作及写入动作的至少一个的存取动作,向存储器单元(12)施加第一电压脉冲和第二电压脉冲,其中第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场,第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与所述第一方向反向的电场,并且对存储器单元(12)进行用于使残留极化量恢复的恢复动作。 | ||
申请公布号 | CN1969338B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
申请号 | CN200580019279.7 | 申请日期 | 2005.06.16 |
申请人 | 帕特兰尼拉财富有限公司 | 发明人 | 宫本英明;境直史;山田光一;松下重治 |
分类号 | G11C11/22(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/22(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 一种存储器,包括:存储器单元阵列,其包括:位线,配置为与所述位线交叉的字线,和连接在所述位线与所述字线之间的第一存储器单元,其中,通过存取动作,向第一存储器单元施加第一电压脉冲和第二电压脉冲,其中第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场,第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与第一方向相反的第二方向的电场,存取动作包括要对选择的存储器单元进行的读出动作、重新写入动作以及写入动作中的至少一种;以及刷新控制电路,被配置为对第一存储器单元进行恢复动作,以恢复残留极化量;其中,刷新控制电路包括伪单元和脉冲发生器,脉冲发生器被配置为向伪单元施加第三电压脉冲和第四电压脉冲,第三电压脉冲提供第一方向的电场并具有与第一电压脉冲相同的电压,第四电压脉冲提供第二方向的电场并具有与第二电压脉冲相同的电压,其中,与向第一存储器单元施加第一电压脉冲和第二电压脉冲相对应地施加第三电压脉冲和第四电压脉冲。 | ||
地址 | 美国特拉华州 |