发明名称 |
一种阵列基板及其接触端子区电极结构 |
摘要 |
本实用新型提供了一种阵列基板及其接触端子区电极结构,所述电极采用叉形结构,每个电极包含有至少两个子电极,同一电极的子电极相互连通。本实用新型通过对PAD区电极结构采用叉形设计,每个电极包含有至少两个子电极,同一电极的子电极是相互连通的,如此,当腐蚀发生在一个子电极的情况下,当腐蚀向四周扩散时,会遇到钝化层而无法继续腐蚀其他子电极,这样,当被腐蚀的子电极断裂后,其他子电极仍能起到连通的作用,避免了整个电极因腐蚀而断裂,很好地提高了现有用户终端市场的产品质量。 |
申请公布号 |
CN202171704U |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN201120201999.8 |
申请日期 |
2011.06.15 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
战戈 |
分类号 |
G02F1/13(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/13(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 |
代理人 |
张颖玲;王黎延 |
主权项 |
一种阵列基板接触端子PAD区电极结构,其特征在于,所述电极采用叉形结构,每个电极包含有至少两个子电极,同一电极的子电极相互连通。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |