发明名称 |
用于等离子体设备的下电极及等离子体设备 |
摘要 |
本发明提供一种用于等离子体设备的下电极以及等离子体设备,包括基座以及绝缘层,所述绝缘层设置在所述基座的顶面,所述绝缘层在其厚度方向上的等效电容具有下述分布趋势:即,沿所述绝缘层的径向方向,所述绝缘层的等效电容大小不等,以调节在所述绝缘层的径向方向上所述等离子体能量的分布,从而使置于绝缘层上的被加工工件表面的离子能量沿所述绝缘层的径向方向的分布满足工艺要求。因此,本发明提供的用于等离子体设备的下电极以及等离子体设备可以提高等离子体设备的加工性能。 |
申请公布号 |
CN102387655A |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN201010274284.5 |
申请日期 |
2010.09.06 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
韦刚 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
张天舒;陈源 |
主权项 |
一种用于等离子体设备的下电极,包括基座以及绝缘层,所述绝缘层设置在所述基座的顶面,其特征在于,所述绝缘层在其厚度方向上的等效电容具有下述分布趋势:即,沿所述绝缘层的径向方向,所述绝缘层的等效电容大小不等,以调节在所述绝缘层的径向方向上所述等离子体能量的分布,从而使到达置于绝缘层上的被加工工件表面的离子能量沿所述绝缘层的径向方向的分布满足工艺要求。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 |