用于钝化衬底表面的方法

摘要

本发明披露了一种用于钝化半导体衬底表面的至少一部分的方法，其中包括至少一种SiOx层的至少一个层在所述部分的衬底表面上通过以下步骤实现：将衬底(1)置于加工室(5)中；将加工室(5)中的压力保持在相对低的值；使衬底(1)保持在特定衬底处理温度下；通过距衬底表面特定距离(L)处安装在加工室(5)上的至少一个等离子体源(3)产生等离子体(P)；将由每一个源(3)产生的等离子体(P)的至少一部分接触衬底表面的所述部分；以及，将适合于SiOx实现的至少一种前体提供给等离子体(P)的所述部分；其中至少在衬底(1)上实现的至少一个层经受在气体环境中的温度处理。

主权项

一种用于钝化半导体衬底表面的至少一部分的方法，其中包括至少一个SiOx层的至少一个层在所述衬底表面的所述部分上通过以下步骤被实现：‑将所述衬底(1)置于加工室(5)中；‑将所述衬底(1)保持在适合于实现所述层的在250℃‑1000℃范围内的衬底处理温度下；‑实现所述层，其中在已经实现所述至少一个层之后，所述层经受退火处理以使所述层退火；所述方法的特征在于‑通过以距所述衬底表面特定距离(L)安装在所述加工室(5)上的至少一个等离子体级联源(3)来产生等离子体(P)，其中在所述加工室(5)中的压力低于所述源(3)中的压力，以使所产生的等离子体(P)的一部分扩展以至它从所述源(3)的流出开口(4)延伸到所述加工室(5)中并接触所述衬底(1)的表面；以及‑将适合于SiOx实现的至少一种前体供应给所述等离子体(P)的所述部分。