| 发明名称 | 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓器件衬底，该衬底包含位于替代衬底上的含附加晶格参数改变元素的氮化镓层。 | ||
| 申请公布号 | CN1909190B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200610099595.6 | 申请日期 | 2006.08.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 史蒂文·D·莱斯特尔;维金奈·M·罗宾斯;斯科特·W·科尔扎因 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 肖善强 |
| 主权项 | 形成氮化镓器件衬底的方法，包括：提供第一牺牲衬底；在所述第一牺牲衬底上形成氮化镓层；在所述氮化镓层上形成第一含附加晶格参数改变元素的氮化镓层；将替代衬底贴附于所述第一含附加晶格参数改变元素的氮化镓层；和去除所述牺牲衬底和所述氮化镓层；其中所述第一含附加晶格参数改变元素的氮化镓层的组成为InxGa1‑xN或AlxGa1‑xN，其中0.1≤x≤0.2。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||