| 摘要 |
Тиристор с самозащитой от пробоя при переключении по аноду вследствие перенапряжения, выполненный на основе многослойной полупроводниковой структуры, содержащей четыре чередующихся слоя р- и n-типа электропроводности, эмиттерный анодный, коллекторный центральный и эмиттерный катодный p-n-переходы, сформированные между анодным и катодным металлическими слоями, образующие основную тиристорную структуру и внутри нее центрально-симметричные вспомогательные тиристорные структуры в количестве не меньше двух, имеющей локальную область с пониженным удельным сопротивлением в центре полупроводниковой структуры в n-базе вблизи коллекторного p-n-перехода, отличающийся тем, что в окрестности второй от центра или одной из последующих вспомогательных тиристорных структур в n-базе вблизи коллекторного p-n-перехода сформирована одна или несколько локальных областей с пониженным удельным сопротивлением, причем удельное сопротивление в этой области (областях) больше, чем в локальной области в центре, и меньше, чем в основной тиристорной структуре, а площадь этой области (областей) больше площади локальной области в центре полупроводниковой структуры, вследствие чего напряжение лавинного пробоя центрального p-n перехода вблизи вспомогательной тиристорной структуры с указанной областью больше, а дифференциальное сопротивление участка лавинообразования меньше значений аналогичных параметров в центре полупроводниковой структуры. |
