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经营范围
发明名称
a Method of manufacturing Phase Change RAM having controllable contact area of bottom electrode contact
摘要
申请公布号
KR101119222(B1)
申请公布日期
2012.03.20
申请号
KR20100004528
申请日期
2010.01.18
申请人
发明人
分类号
H01L21/8247;H01L27/115
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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