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发明名称
ReRAM memory device with multi-level and manufacturing method of the same
摘要
申请公布号
KR101123736(B1)
申请公布日期
2012.03.16
申请号
KR20100033448
申请日期
2010.04.12
申请人
发明人
分类号
H01L21/8242;H01L27/108
主分类号
H01L21/8242
代理机构
代理人
主权项
地址
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