发明名称 PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT AU MOYEN D'UN FLUX LUMINEUX DE LONGUEUR D'ONDE DÉTERMINÉE, ET SUBSTRAT CORRESPONDANT
摘要 La présente invention concerne en particulier un procédé de traitement d'un substrat au moyen d'un flux lumineux (IR) de longueur d'onde déterminée, ce substrat comportant une couche enterrée (3) qui est absorbante, c'est-à-dire qui absorbe ledit flux lumineux indépendamment de la température, cette couche enterrée étant intercalée entre une première couche (2), dite de traitement, et une deuxième couche (4), la première couche (4) présentant un coefficient d'absorption du flux lumineux faible à température ambiante et croissant au fur et à mesure que cette température s'élève, selon lequel on irradie ladite première couche (2), par au moins une impulsion dudit flux lumineux (IR). Il est notamment remarquable en ce que - ledit flux lumineux (IR) est appliqué en plusieurs endroits de la surface de la première couche (2), de manière à échauffer des régions de la couche enterrée (3) et à générer, dans cette première couche (2) par propagation de front thermique, en regard des régions échauffées de la 5 couche enterrée (3), des zones échauffées formant des piliers thermiques (P), lesquels se dilatent et génèrent des contraintes au sein de la seconde couche (4), via la couche enterrée (3).
申请公布号 FR2964788(A1) 申请公布日期 2012.03.16
申请号 FR20100057211 申请日期 2010.09.10
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 BRUEL MICHEL
分类号 H01L21/428;H01L21/324 主分类号 H01L21/428
代理机构 代理人
主权项
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