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<p>L'invention concerne un dispositif d'interposition comprenant un substrat (1) en silicium dopé, au moins un via (11) traversant s'étendant d'un premier côté à un deuxième côté du substrat (1) en silicium dopé, et au moins des première et deuxième couches conductrices (111 et 112) déposées respectivement sur les premier et deuxième côtés dudit via (11) traversant de façon qu'elles soient électriquement connectées l'une à l'autre, dans lequel ledit via traversant comprend un volume du substrat en silicium dopé délimité par une tranchée (7) environnante s'étendant du premier côté au deuxième côté du substrat en silicium dopé, ladite tranchée d'encerclement étant agencée de façon à isoler électriquement le substrat en silicium dopé entouré par ladite tranchée vis-à-vis du substrat en silicium dopé à l'extérieur de ladite tranchée.</p> |
