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发明名称 Elektronisches Halbleiterbauelement mit einer Diode und einer MIS-Kapazität mit Gateelektrode aufgebaut in monolithischer Technik
摘要
申请公布号 CH532314(A) 申请公布日期 1972.12.31
申请号 CH19710014698 申请日期 1971.10.08
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 GOSER,KARL,DR.;STEIN,KARL-ULRICH,DR.
分类号 G11C11/412;H01L27/00;H01L27/07;H01L29/00;H01L29/8605;H03K3/356;(IPC1-7):H01L19/00 主分类号 G11C11/412
代理机构 代理人
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