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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherelementes, mit den Schritten: ein Halbleitersubstrat (20) wird zur Verfügung gestellt, wobei eine Gate-Elektrode auf dem Halbleitersubstrat (20) gebildet wird und wobei Source/Drain-Übergänge in dem Halbleitersubstrat (20) gebildet werden; eine Zwischenisolationsschicht (21, 22) wird über dem Halbleitersubstrat (20) gebildet; die Zwischenisolationsschicht (21, 22) wird geätzt, um ein Kontaktloch (100) zu bilden; ein Kondensator-Anschluss (23) wird gebildet, wobei eine Diffusionsbarrierenschicht (23C) und eine leitende Schicht (23D) in dem Kontaktloch (100) zur Bildung des Anschlusses dienen, und wobei die leitende Schicht (23D) auf der Diffusionsbarrierenschicht (23C) mit einem Material gebiet dessen zu leiten, dass die leitende Schicht (23D) oxidiert ist; eine Keimschicht (24) wird auf der leitenden Schicht gebildet; eine Haftschicht (25) wird auf der Keimschicht (24) gebildet; eine Opferschicht (26) wird auf der Haftschicht (25) gebildet; die Opferschicht (26) und die...
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