<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Silicium hoher Reinheit beschrieben. Aus SiO2-haltigen Ausgangsstoffen wird durch Carbochlorierung SiCl4 hergestellt, aus dem in weiteren Verfahrensschritten das Silicium hoher Reinheit gewonnen wird. In sämtlichen Verfahrensschritten wird kein elementares Silicium zugeführt. Auf diese Weise ergibt sich eine besonders effiziente und kostengünstige Verfahrensweise.</p>
