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<p>Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von Silizium, insbesondere ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen eines Siliziumingots beschrieben. Bei dem Verfahren zum Herstellen von Silizium sind die folgenden Schritte vorgesehen: Einleiten eines Silane enthaltenden Prozessgases in eine Prozesskammer, Erwärmen wenigstens eines innerhalb der Prozesskammer angeordneten ersten, aktiv beheizbaren Elements mittels Widerstandsheizung oder ein innerhalb des ersten Elements liegenden Heizelements auf eine erste Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich aus dem Prozessgas Silizium auf dem wenigstens einen Element abscheidet, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, Erwärmen wenigstens eines innerhalb der Prozesskammer benachbart zu dem wenigstens einen ersten Element angeordneten zweiten, passiv beheizbaren Elements durch das wenigstens eine erste Element auf eine erste Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich aus dem Prozessgas Silizium auf dem wenigstens einen zweiten Element abscheidet, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, anschliessendes Erwärmen des wenigstens einen ersten Elements, des wenigstens einen zweiten Elements und/oder der darauf ausgebildeten Siliziumschicht auf eine zweite, höhere Temperatur, die in einem Temperaturbereich liegt, bei dem die Siliziumschicht wenigstens teilweise schmilzt und von dem wenigstens einen ersten und zweiten Element in flüssiger Form abfliesst, und Sammeln des flüssigen Siliziums. Die Vorrichtung zum Herstellen von Silizium, weist folgendes auf: wenigstens eine erste Prozesskammer, wenigstens ein in der Prozesskammer angeordnetes erstes, aktiv beheizbares Element, wenigstens eine steuerbare Heizvorrichtung die geeignet ist, das wenigstens eine erste Element aktiv mittels Widerstandsheizung oder ein innerhalb des ersten Elements liegende Heizeinheit auf erste und/oder zweite Temperaturen zu erwärmen, wobei die erste Temperatur in einem Temperaturbereich liegt, bei dem sich Silizium aus einem Silane enthaltenden Prozessgas auf dem wenigstens einen Element abscheiden kann, um eine Siliziumschicht hierauf auszubilden, und wobei die zweite Temperatur in einem Temperaturbereich liegt, bei dem eine auf dem wenigstens einen Element ausgebildete Siliziumschicht wenigstens teilweise schmilzt und von dem wenigstens einen Element in flüssiger Form abfliesst, wenigstens ein in der Prozesskammer benachbart zum wenigstens einen ersten Element angeordnetes zweites, passiv beheizbares Element, das durch das erste Element auf die erste und/oder zweite Temperatur erwärmbar ist, und wenigstens eine Anordnung zum kontrollierten Sammeln und/oder Ableiten von flüssigen Silizium, dass von dem wenigstens einen Element abfliesst.</p> |
