摘要 |
Beschrieben werden zwei Verfahren zum Überprüfen der Funktionsfähigkeit elektrischer Verbindungen zwischen Adreßleitungen (L1, L2, ..., L6) einer Leiterplatte (11) eines Speichermoduls und Adreßleitungskontakten (A1, A2, ..., A6; A1', A2', ..., A6') eines auf der Leiterplatte (11) montierten integrierten Halbleiterbausteins (12; 12'). Abgerissene Lötkontakte werden herkömmlich optisch oder durch elektrische Widerstandsmessungen untersucht; letztere funktionieren jedoch nicht bei Speichermodulen mit mehreren Halbleiterbausteinen (12; 12'), deren Pinkontakte (A1, A2, ..., A6; A1', A2', ..., A6') durch die Adreßleitungen (L1, L2, ..., L6) parallel geschaltet werden. Die erfindungsgemäßen Verfahren ermöglichen eine Lokalisierung unterbrochener Kontakte an einzelnen Adreßleitungen (L1, L2, ..., L6) auf dem Umweg eines Schreib-Lese-Zugriffs auf den Halbleiterspeicherbaustein (12; 12'), wobei die durch defekte Kontaktverbindungen entstehende Fehlleitung von Schreib- und Lesebefehlen gezielt ausgenutzt wird.
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