| 发明名称 | 制造碳化硅衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其包括以下步骤：提供包括碳化硅的基础衬底(10)和包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；通过彼此堆叠所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)，使得衬底的主表面(10A，20B)彼此接触来准备堆叠衬底；加热所述堆叠衬底以彼此接合基础衬底(10)和SiC衬底(20)，以制造接合衬底(3)；以及加热所述接合衬底(3)，使得在基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间形成温度差，以制造接合衬底(3)，其中基础衬底(10)和SiC衬底(20)之间的接合界面(15)中形成的空洞(30)被消除到外部。 | ||
| 申请公布号 | CN102379025A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201080015066.8 | 申请日期 | 2010.09.28 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 佐佐木信;原田真;西口太郎;冲田恭子;井上博挥;并川靖生 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅衬底(1)的方法，包括以下步骤：准备由碳化硅形成的基础衬底(10)和由单晶碳化硅形成的SiC衬底(20)；通过堆叠所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)以使它们的主表面彼此相接触来制造堆叠衬底(2)；加热所述堆叠衬底(2)以使得所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)相接合，由此制造接合衬底(3)；以及加热所述接合衬底(3)，以使得在所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间形成温度差，并由此将在所述的制造所述接合衬底(3)的步骤中形成在所述基础衬底(10)和所述SiC衬底(20)之间的界面(15)处的空洞(30)排出到外部。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||