薄膜晶体管阵列器件、有机EL显示装置以及薄膜晶体管阵列器件的制造方法

摘要

薄膜晶体管阵列器件(100)具备：驱动用TFT(10a)，其具有由第一平均结晶粒径的晶粒构成的第一结晶性半导体膜(5a)；和开关用TFT(10b)，其具有由平均结晶粒径比第一平均结晶粒径小的第二平均结晶粒径的晶粒构成的第二结晶性半导体膜(5b)。对于第一结晶性半导体膜(5a)和第二结晶性半导体膜(5b)，通过使用具有高斯分布的光强度分布的激光以使非结晶性半导体膜的温度变成600℃～1100℃的范围的方式对非结晶性半导体膜进行激光照射来形成，第一结晶性半导体膜(5a)以通过激光照射所产生的潜热而变为1100℃～1414℃的温度范围的方式来形成。第二结晶性半导体膜(5b)与形成第一结晶性半导体膜(5a)同时地形成。

主权项

一种薄膜晶体管阵列器件，具备：基材；第一栅电极，其配置在所述基材的上方；第二栅电极，其在所述基材的上方与所述第一栅电极并列地配置；栅极绝缘膜，其配置在所述第一栅电极和所述第二栅电极之上；第一结晶性半导体膜，其配置在所述第一栅电极的上方所述栅极绝缘膜上，由第一平均结晶粒径的晶粒构成；第一源电极和第一漏电极，其形成在所述第一结晶性半导体膜上；第二结晶性半导体膜，其配置在所述第二栅电极的上方所述栅极绝缘膜上，由平均结晶粒径比所述第一平均结晶粒径小的第二平均结晶粒径的晶粒构成；以及第二源电极和第二漏电极，其形成在所述第二结晶性半导体膜上，所述第一结晶性半导体膜的晶粒，通过下述工序形成：第1工序，使用具有在短轴和长轴上向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型的激光，对非结晶性半导体膜进行激光照射，使得所述非结晶性半导体膜的温度成为600℃～1100℃的范围；第2工序，与所述600℃～1100℃的温度范围对应，使所述非结晶性半导体膜结晶化；以及第3工序，利用通过所述激光照射而使非结晶性半导体膜结晶化时产生的潜热，使所述非结晶性半导体膜的温度变为1100℃～1414℃，与所述1100℃～1414℃的温度范围对应，使所述结晶化了的非结晶性半导体膜的结晶粒径扩大，对在所述长轴上向上凸的连续的光强度分布进行规定，以使因所述潜热而成为1100℃～1414℃的温度范围的所述非结晶性半导体膜上的区域具有一定宽度，进一步，所述第一结晶性半导体膜的晶粒，在所述第3工序中，使用为了具有所述一定宽度而规定的在所述长轴上向上凸的连续的光强度分布中的一定宽度的内部区域来形成，所述第二结晶性半导体膜的晶粒，通过与所述第1工序和所述第2工序相同的工序，通过所述第1工序和所述第2工序中使用的激光照射来形成，进一步，所述第二结晶性半导体膜的晶粒，使用为了具有所述一定宽度而规定的在所述长轴上向上凸的连续的光强度分布中的所述一定宽度的外部区域来形成。