具有空气侧墙的CMOS 制作方法

摘要

本发明涉及一种具有空气侧墙的CMOS制作方法，步骤如下：提供一硅晶片，所述硅晶片包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区形成有P+源/漏区和NMOS栅极，所述PMOS区形成有N+源/漏区和PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极两侧都具有侧墙；在上述结构上沉积第一介质层；直至去除所述侧墙顶部的一部分，在侧墙顶部形成释放口；湿法刻蚀去除NMOS栅极和PMOS栅极两侧的侧墙；在上述结构上沉积第二介质层；采用光刻、刻蚀工艺，形成分别连通至N+源/漏区、P+源/漏区的接触孔；在接触孔内填充金属形成互连，本发明在CMOS制作过程中去除栅极两侧的二氧化硅或者氮化硅侧墙，形成空气侧墙，从而减小反转延迟；降低开关所需能量，减小能耗，提高CMOS的速度。

主权项

一种具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅晶片，所述硅晶片包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区形成有P+源/漏区和NMOS栅极，所述PMOS区形成有N+源/漏区和PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极两侧都具有侧墙；在上述结构上沉积第一介质层；化学机械研磨第一介质层，直至去除所述侧墙顶部的一部分，在侧墙顶部形成释放口；湿法刻蚀去除NMOS栅极和PMOS栅极两侧的侧墙；在上述结构上沉积第二介质层；采用光刻、刻蚀工艺，形成分别连通至N+源/漏区、P+源/漏区的接触孔；在接触孔内填充金属形成互连。