发明名称 |
成膜方法和成膜装置 |
摘要 |
本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。该成膜方法,在向基板供给使固体原料升华而得到的金属原料络合物例如醋酸铜的气体作为原料气体,通过该原料气体的化学反应在基板上形成金属铜的膜时,能够大幅抑制原料气体的消耗量。向处理容器内供给使固体原料升华而得到的原料气体,使原料作为固体吸附在处理容器内的吸附脱离部件上。接着停止原料气体的供给和排气,使处理容器为密闭空间。之后,对基板进行加热,并且使原料从吸附脱离部件脱离,使该原料在基板上进行化学反应,在基板上形成薄膜。 |
申请公布号 |
CN101652501B |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN200880011143.5 |
申请日期 |
2008.03.13 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
伊藤仁 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种成膜方法,其使用成膜装置,使从固体或液体的原料得到的原料气体在处理容器内的基板表面进行化学反应,从而在基板上形成薄膜,该成膜装置包括:具有供给原料气体的供给口和排出气体的排气口的处理容器;配置在处理容器内并载置基板的载置台;和通过使表面的温度变化而使原料气体吸附、脱离的吸附脱离部件,该成膜方法的特征在于,包括:将所述处理容器的内壁的温度设定为所述原料开始升华或开始蒸发的温度TA以上、且低于在基板表面发生化学反应的温度TB的工序a;接着,将所述吸附脱离部件的表面的温度设定为低于所述温度TA,关闭所述排气口,从所述供给口向该处理容器内供给原料气体,然后关闭所述供给口,使原料气体作为固体或液体吸附在所述吸附脱离部件的表面上的工序b;在将载置在所述处理容器内的载置台上的基板的温度设定为所述温度TB以上后,将所述吸附脱离部件的表面的温度设定为所述温度TA以上,从而使从所述吸附脱离部件的表面脱离的原料气体在所述基板表面上进行化学反应,在所述基板上形成薄膜的工序c;和用吹扫气体置换所述处理容器内的原料气体的工序d。 |
地址 |
日本东京都 |