发明名称 |
一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术 |
摘要 |
本发明属于半导体光电转换器件,包括半导体太阳能光伏电池和半导体光电探测器的技术领域,涉及一种抗半导体材料表面上光反射率的技术。在半导体材料表面上制造的抗光反射多层膜中,包括有两层透明的介质薄膜层,和夹在这两层之间的一层超薄金属薄膜层,实现干涉相消抗光反射,降低半导体材料表面的光反射率目的。 |
申请公布号 |
CN102376782A |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN201010249789.6 |
申请日期 |
2010.08.05 |
申请人 |
石郧熙 |
发明人 |
石郧熙 |
分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术,其特征是,在半导体光电转换器件中,半导体材料的前表面上的抗光反射层是,包括有两层透明介质薄膜层和夹在这两层之间的超薄金属薄膜层结构的抗光反射层,超薄金属薄膜层的厚度小于10nm。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市中南民族大学教工宿舍2-2-302 |