一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺

摘要

本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺，首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构，曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜，之后在室温条件下在光刻胶表面沉积金属或其它半导体材料层以实现其结构的平坦化工艺，最后对沉积的材料层刻蚀形成结构和图形。该方法有别于传统的平坦化工艺，利用自组装的方法将平坦化和光刻工艺结合在了一起，方法简单、材料节约、成本低廉、对设备要求低。

主权项

一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)利用自组装方法在待平坦化的半导体材料上形成跨越间隙结构的悬架光刻胶结构；2)对所述悬架光刻胶结构进行曝光显影及坚膜以形成所需图形；3)在形成了所需图形的悬架光刻胶结构上制备材料层，再次涂覆光刻胶，光刻并刻蚀形成材料层结构；4)湿法腐蚀以去除悬架光刻胶结构。