| 发明名称 | 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。 | ||
| 申请公布号 | CN102377109A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110356474.6 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张灿;梁松;朱洪亮;马丽 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||