| 发明名称 | 制造半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 第一碳化硅衬底(11)，其具有第一表面(F1)和第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有第二正面(F2)和第二侧面。所述第二侧面被设置成使得在所述第一和第二侧面之间形成间隙，该间隙具有在所述第一和第二碳化硅衬底(11，12)的第一和第二正面(F1，F2)之间的开口。在所述开口上方提供用于封闭所述间隙的封闭部(70)。将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积在所述封闭部(70)之上，形成用于连接所述第一和第二侧面的连接部(BDa)以便封闭所述开口。在形成所述连接部(BDa)的步骤之后，去除所述封闭部(70)。 | ||
| 申请公布号 | CN102379024A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201080014869.1 | 申请日期 | 2010.09.28 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 佐佐木信;原田真;西口太郎;冲田恭子;玉祖秀人;并川靖生 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：准备支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11，12)，所述第一碳化硅衬底具有面对所述支撑部的第一背面(B1)、相对于所述第一背面相反的第一正面(F1)以及连接所述第一背面和所述第一正面的第一侧面(S1)，所述第二碳化硅衬底具有面对所述支撑部的第二背面(B2)、相对于所述第二背面相反的第二正面(F2)以及连接所述第二背面和所述第二正面的第二侧面(S2)，所述第二侧面被设置成使得在所述第一侧面和所述第二侧面之间形成间隙(GP)，所述间隙(GP)具有在所述第一和第二正面之间的开口(CR)；提供封闭部(70)，所述封闭部(70)用于在所述开口上方封闭所述间隙；通过将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积在所述封闭部之上，形成用于将所述第一和第二侧面彼此连接以便封闭所述开口的连接部(BDa)；以及在形成所述连接部的步骤之后，去除所述封闭部。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||