沉积铜铟镓硒(CIGS)吸收层的装置及其方法

摘要

本发明涉及沉积铜铟镓硒(CIGS)吸收层的装置及其方法。具体地涉及沉积由如下式表示的铜铟镓硒(CIGS)吸收层和缓冲层在可挠性基板上的装置及其方法：Cu(In，Ga)Se2。由于利用可挠性基板的转动，使铜铟镓硒吸收层的沉积可在单层原子反应中发生。将一卷基板置放于可挠性太阳能电池镀层装置内的加载滚子上。将基板的一片段展开且沿滚筒推进。当该片段转动且加热时，同时进行铜铟镓硒层的沉积。此沉积是一种同时包含溅镀及蒸镀的过程。沉积过程可持续直到镀层达到预定厚度且基板完全地镀设为止。接着溅镀缓冲层于该铜铟镓硒层上。铜铟镓硒层的沉积是利用硒元素及渗钠铟。硒元素可被离子化以增加单层原子反应的反应性。缓冲层是无毒性的氧硫化锌(ZnS-O)层。

主权项

一种用于沉积可挠式太阳能电池的一或多镀层的装置，包括：壳体，定义有真空室；滚筒，设置于该真空室中且耦接于该真空室的顶部；载入滚子，用于发放沿着该滚筒的圆周推进基板的一片段；加热器，用于加热该基板的片段；复数个吸收成分溅镀源，是用于将复数个吸收成分沉积于该基板的片段表面；蒸镀源，用于蒸发吸收成分以使其沉积于该基板的片段表面；隔离挡板，用于防止该复数个吸收成分溅镀源受到该蒸镀源的污染；缓冲层溅镀源，用于将缓冲层成分沉积于该基板的片段表面；以及载出滚子，用于接收该滚筒的基板的片段。