发明名称 |
TFT像素单元 |
摘要 |
本实用新型公开一种TFT像素单元,其包含扫描线、第一绝缘层、资料线、源极段、半导体层、漏极段及像素电极。所述第一绝缘层设于扫描线上并包覆其内侧面。资料线与扫描线彼此绝缘交错而共同定义一像素区。漏极段自资料线一侧延伸出而配置于第一绝缘层上。半导体层设置于漏极段的顶面。源极段设置于所述半导体层的顶面。漏极段、半导体层与源极段邻近扫描线的内侧面。像素电极设置像素区内并连接源极段。所述资料线、漏极段、半导体层与源极段构成一纵向堆叠结构的TFT开关,减少了开口率的损失。 |
申请公布号 |
CN202167491U |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN201120286123.8 |
申请日期 |
2011.08.08 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
康志聪 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种TFT像素单元,其特征在于:所述TFT像素单元包含:一扫描线,具有一内侧面;一第一绝缘层,设于所述扫描线上并包覆所述内侧面;一资料线,与所述扫描线彼此绝缘交错而共同定义一像素区;一漏极段,自所述资料线一侧延伸出而配置于第一绝缘层上;一半导体层,设置于所述源极段的顶面;一源极段,设置于所述半导体层的顶面,所述漏极段、半导体层与所述源极段邻近所述扫描线的内侧面;以及一像素电极,设置所述像素区内并连接所述源极段。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |