SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法

摘要

本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有SOILDMOS器件击穿时电场分布呈现两端高、中间低，其不能充分利用漂移区的问题，提供了一种SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法，其技术方案可概括为：SOI变埋氧层厚度器件，包括源极、漏极、埋氧层及n型顶层SOI杂质材料层，其特征在于，所述埋氧层的厚度从源极到漏极逐渐减小，n型顶层SOI杂质材料层的厚度从源极到漏极逐渐增加。本发明的有益效果是，其击穿性能大为提高，适用于SOILDMOS器件。

主权项

SOI变埋氧层厚度器件，包括p型衬底、源极、漏极、埋氧层及n型顶层SOI杂质材料层，p型衬底设置在水平面上，埋氧层设置在p型衬底上与p型衬底上表面相接触，n型顶层SOI杂质材料层设置在埋氧层上与埋氧层上表面相接触，n型顶层SOI杂质材料层、埋氧层及p型衬底的左右两面分别为源极和漏极，其特征在于，所述埋氧层的厚度从源极到漏极逐渐减小，n型顶层SOI杂质材料层的厚度从源极到漏极逐渐增加。