发明名称 发光二极管
摘要 一种发光二极管,包括基板、设于基板上的芯片、及密封所述芯片的封装体,所述基板为不导电陶瓷材料,基板上直接形成电路层,所述芯片直接粘结于基板上并与电路层电性连接,有效减小芯片与基板之间的界面层,芯片产生的热量能够直接传导至基板散发,提升发光二极管的发光效率与使用寿命。
申请公布号 CN102376865A 申请公布日期 2012.03.14
申请号 CN201010262887.3 申请日期 2010.08.25
申请人 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 发明人 赖志铭
分类号 H01L33/62(2010.01)I;H01L25/13(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管,包括基板、设于基板上的芯片、及密封所述芯片的封装体,其特征在于:所述基板为不导电陶瓷材料,基板上直接形成电路层,所述芯片直接粘结于基板上并与电路层电性连接。
地址 201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号