发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
一种发光二极管,包括基板、设于基板上的芯片、及密封所述芯片的封装体,所述基板为不导电陶瓷材料,基板上直接形成电路层,所述芯片直接粘结于基板上并与电路层电性连接,有效减小芯片与基板之间的界面层,芯片产生的热量能够直接传导至基板散发,提升发光二极管的发光效率与使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102376865A |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN201010262887.3 |
申请日期 |
2010.08.25 |
申请人 |
富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
发明人 |
赖志铭 |
分类号 |
H01L33/62(2010.01)I;H01L25/13(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/62(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管,包括基板、设于基板上的芯片、及密封所述芯片的封装体,其特征在于:所述基板为不导电陶瓷材料,基板上直接形成电路层,所述芯片直接粘结于基板上并与电路层电性连接。 |
地址 |
201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号 |