二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法

摘要

本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。

主权项

一种二元光掩模坯料，其包含透明衬底和其上的遮光膜，该遮光膜具有2.5‑3.5的光密度，其中所述遮光膜包括与衬底邻接设置的衬底侧的组成渐变层，和远离衬底设置的表面侧的组成渐变层，具有35‑60nm的厚度，并由包含过渡金属以及氮和/或氧的硅基材料构成，所述衬底侧的组成渐变层是具有10‑58.5nm厚度的层，其中氮和氧的总含量在厚度方向上向着衬底增加，所述衬底侧的组成渐变层包括其组成在厚度方向上连续变化的层，各自具有一致组成的至少三个层的组合，具有一致组成的层和其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，或者其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，构成所述衬底侧的组成渐变层的硅基材料以1∶2到1∶9的原子比例包含过渡金属和硅，在所述衬底侧的组成渐变层中的氮和氧的总含量在与衬底邻接的表面处为25‑40原子％，而在远离衬底的表面处为10‑23原子％，所述表面侧的组成渐变层是具有1.5‑8nm厚度的层，其中氮和氧的总含量在厚度方向上向着衬底减少，所述表面侧的组成渐变层包含其组成在厚度方向上连续变化的层，各自具有一致组成的至少两个层的组合，具有一致组成的层和其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，或者其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，构成所述表面侧的组成渐变层的硅基材料以1∶2到1∶9的原子比例包含过渡金属和硅，在所述表面侧的组成渐变层中的氮和氧的总含量在与衬底邻近的表面处为10‑45原子％，而在远离衬底的表面处为45‑55原子％。