| 发明名称 | 半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其在倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上形成，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在23℃-165℃范围内的体积收缩率为100ppm/℃-400ppm/℃。 | ||
| 申请公布号 | CN102376611A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110217098.2 | 申请日期 | 2011.07.28 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 河本裕介;高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 |
| 分类号 | H01L21/68(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/68(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在23℃‑165℃范围内的体积收缩率为100ppm/℃‑400ppm/℃。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||