| 发明名称 | 半导体装置的制造工艺和半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置的一种制造工艺，其中包括下列工序：制造半导体衬底(1)；在半导体衬底(1)的一个半导体表面(11)上生成一个功能层(2)；通过从功能层(2)向半导体衬底(1)中压入掺杂材料，在半导体表面(11)上生成至少一个掺杂区(3)，同时功能层(2)应在半导体装置制造完成后能够作为钝化层起到钝化半导体表面(11)的作用。同时本发明还涉及一个半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102376822A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110225121.2 | 申请日期 | 2011.08.05 |
| 申请人 | Q-电池公司 | 发明人 | 皮特·恩格尔哈特;史蒂芬·博丁;马克西米兰·使尔夫;伯纳德·克劳德 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造工艺，包括下列工序：制造半导体衬底(1)；在半导体衬底(1)的一个半导体表面(11)上生成一个功能层(2)；并通过从功能层(2)向半导体衬底(1)中压入掺杂材料，在半导体表面(11)上生成至少一个掺杂区(3)，同时功能层(2)应在半导体装置制造完成后能够作为钝化层起到钝化半导体表面(11)的作用。 | ||
| 地址 | 德国比特费尔德-沃尔夫岗 | ||