| 发明名称 | 一种制作复合半导体薄膜材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO3靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO3薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO3和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。利用本发明，实现了在常温下声面波气体传感器对低浓度H2S气体的检测，且提高了手持式SAW气体传感器对H2S气体的灵敏度与选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN102373470A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201010247619.4 | 申请日期 | 2010.08.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李冬梅;侯成诚;刘明;周文;汪幸;闫学锋;谢常青;霍宗亮 |
| 分类号 | C23C28/00(2006.01)I;G01N30/00(2006.01)I;G01N27/407(2006.01)I | 主分类号 | C23C28/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制作复合半导体薄膜材料的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO3靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO3薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO3和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||