| 发明名称 | 一种多晶硅铸锭用涂层石英坩埚 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅铸锭用涂层石英坩埚，包括气泡复合层、真空层和涂层，所述石英坩埚的内壁上设置有气泡复合层，气泡复合层上设置有真空层，真空层上设置有氢氧化钡涂层。本发明产品具有较强耐高温性能，可有效阻隔硅原料和石英材料之间的化学反应。 | ||
| 申请公布号 | CN102373503A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201010264305.5 | 申请日期 | 2010.08.25 |
| 申请人 | 扬州华尔光电子材料有限公司 | 发明人 | 池金林;杨业林 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;F27B14/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 徐激波 |
| 主权项 | 一种多晶硅铸锭用涂层石英坩埚，其特征在于：包括气泡复合层(1)、真空层(2)和涂层(3)，所述石英坩埚的内壁上设置有气泡复合层(1)，气泡复合层(1)上设置有真空层(2)，真空层(2)上设置有氢氧化钡涂层(3)。 | ||
| 地址 | 225600 江苏省高邮市甘垛镇工业园 | ||