发明名称 非易失性存储器件、系统及其方法
摘要 在一个方案中,一种非易失性存储器包括:相变存储单元阵列,包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元;写驱动器,向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据;以及OTP控制器,选择性地使写驱动器失效,其中,OTP控制器包括:OTP模式控制器,响应于命令信号,输出OTP模式信号;以及OTP保护控制器,响应于OTP模式信号,选择性地使写驱动器失效,从而根据在OTP保护控制器的OTP控制器存储器中预先存储的OTP控制信号,选择性地使对所访问的伪OTP相变存储单元的编程失效和生效。
申请公布号 CN101004948B 申请公布日期 2012.03.14
申请号 CN200610168825.X 申请日期 2006.12.14
申请人 三星电子株式会社 发明人 李光振;赵佑荣;金杜应;赵柏衡
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 戎志敏
主权项 一种非易失性存储器,包括:相变存储单元阵列,包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元;写驱动器,向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据;以及OTP控制器,选择性地使写驱动器失效,其中,OTP控制器包括:OTP模式控制器,响应于命令信号,输出OTP模式信号;以及OTP保护控制器,响应于OTP模式信号,选择性地使写驱动器失效,从而根据在OTP保护控制器的OTP控制器存储器中预先存储的OTP控制信号,选择性地使对所访问的伪OTP相变存储单元的编程失效和生效。
地址 韩国京畿道