发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜,在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜,然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理,然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜,在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对,在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜,以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。 | ||
申请公布号 | CN102376583A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
申请号 | CN201110234368.0 | 申请日期 | 2011.08.16 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 野田耕生;佐佐木俊成 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈华成 |
主权项 | 一种用于制造半导体装置的方法,包括以下步骤:在衬底之上形成氧化物绝缘膜;在所述氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜;在形成所述氧化物半导体膜之后执行热处理;在执行所述热处理之后蚀刻所述氧化物半导体膜的一部分以形成岛形氧化物半导体膜;在所述岛形氧化物半导体膜之上形成电极对;在所述岛形氧化物半导体膜和所述电极对之上形成栅极绝缘膜;以及形成与所述岛形氧化物半导体膜重叠的栅电极,所述栅极绝缘膜处于所述栅电极和所述岛形氧化物半导体膜之间。 | ||
地址 | 日本神奈川 |