真空加工设备及其温度控制方法、半导体器件加工方法

摘要

本发明提供一种真空加工设备及其温度控制方法，真空加工设备包括：腔室；内衬，位于所述腔室内部；加热器，设置在所述腔室内部，与所述内衬接触连接；其中，所述内衬和腔室之间具有间隙。优选的，加热器位于内衬的下面，加热器的上表面与内衬的下表面良好接触。本发明提供的真空加工设备，在腔室内部设置加热器，并且将该加热器与内衬接触连接，而内衬和腔室之间留有间隙，通过加热器单独控制内衬的温度，从而可以分别对腔室和内衬进行温度设定和控制，比如将内衬温度设定高于刻蚀反应大多数副产物的蒸发点，进而能够有效减少副产物在内衬壁上的附着，脱落的副产物被真空泵抽走，从而能够改善腔室内的污染状况，减少维护频率，从而提高设备产能。

主权项

一种真空加工设备，其特征在于，包括：腔室；内衬，位于所述腔室内部；加热器，设置在所述腔室内部，与所述内衬接触连接；其中，所述内衬和腔室之间具有间隙。