硅基蓝绿光LED的反光镜装置

摘要

本实用新型硅基蓝绿光LED的反光镜装置，属于以Si作为衬底生长GaN基LED的技术领域；所要解决的技术问题是提供一种能够提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的反光镜结构；采用的技术方案为：至少一层Si层和至少一层SiO2层间隔设置，最底层为SiO2层，最顶层为Si层，GaN层设置在最顶层的Si层的上方；所述Si层的最小厚度为77.485nm～84.795nm，所述SiO2层的最小厚度为172.078nm～188.312nm；所述Si层的最小厚度为80.409nm，所述SiO2层的最小厚度为178.571nm；本实用新型利用GaN、Si和SiO2这几种不同材料的界面反射效应，减少衬底材料对蓝绿光的吸收，提高了LED的出光效率。

主权项

硅基蓝绿光LED的反光镜装置，其特征在于：包括GaN层(1)、Si层(2)和SiO2层(3)，至少一层Si层(2)和至少一层SiO2层(3)间隔设置，最底层为SiO2层(3)，最顶层为Si层(2)，GaN层(1)设置在最顶层的Si层(2)的上方。