一种硅通孔工艺

摘要

本发明提供了一种硅通孔工艺，包括：提供包含正面和背面的硅片，在所述硅片上形成深沟槽；将所述硅片的正面与第一硅片载体连接，将所述硅片的背面减薄至所述深沟槽的底部露出，形成硅通孔；对所述硅片进行清洗；将所述硅片的背面与第二硅片载体连接，去除所述第一硅片载体；在所述硅片的正面上依次形成绝缘层、阻挡层以及铜种子层；通过电镀铜的方法填充所述硅通孔；在电镀的铜上连接第三硅片载体，去除所述第二硅片载体，在所述硅片的背面电镀铜；去除所述第三硅片载体。本发明提供的硅通孔工艺，将硅片的背面减薄至深沟槽的底部露出，形成硅通孔，对硅片进行清洗，能够更好的去除硅通孔内的聚合物和颗粒，从而提高了硅通孔的可靠性，最终提升了产品良率。

主权项

一种硅通孔工艺，其特征在于，包括：提供包含正面和背面的硅片，在所述硅片上形成深沟槽；将所述硅片的正面与第一硅片载体连接，将所述硅片的背面减薄至所述深沟槽的底部露出，形成硅通孔；对所述硅片进行清洗；将所述硅片的背面与第二硅片载体连接，去除所述第一硅片载体；在所述硅片的正面上依次形成绝缘层、阻挡层以及铜种子层；通过电镀铜的方法填充所述硅通孔；在电镀的铜上连接第三硅片载体，去除所述第二硅片载体，在所述硅片的背面电镀铜；去除所述第三硅片载体。