| 发明名称 | 形成通孔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成通孔的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有层间介质层，所述层间介质层上形成有具有开口图案的硬掩膜层，露出部分所述层间介质层；对所述硬掩膜层和所述层间介质层进行等离子体放电处理和/或气体吹扫；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述通孔。根据本发明，能够避免在形成通孔时出现盲孔，提高了半导体器件的整体性能，提高了良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102376637A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201010267590.6 | 申请日期 | 2010.08.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 符雅丽;张海洋;韩秋华;尹晓明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;谢栒 |
| 主权项 | 一种形成通孔的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有层间介质层，所述层间介质层上形成有具有开口图案的硬掩膜层，露出部分所述层间介质层；对所述硬掩膜层和所述层间介质层进行等离子体放电处理和/或气体吹扫；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||