集成动态随机存取存储器与非易失存储器的制作方法

摘要

本发明揭露一种集成动态随机存取存储器与非易失存储器的制作方法，首先于一动态随机存取存储器的半导体基板的部份表面依序形成一第一栅极绝缘层与作为浮动栅极的一第一栅极层。接着掺杂离子于第一栅极绝缘层的两侧的半导通基板中，以分别形成与第一栅极绝缘层邻接的二重掺杂区，并分别作为汲极与源极，另依序形成一第二栅极绝缘层与作为控制栅极的一第二栅极层于第一栅极层上。本发明能降低制程生产成本、耗电量与包装成本，并同时增加传输速度。

主权项

一种集成动态随机存取存储器与非易失存储器的制作方法，其特征在于，包含下列步骤：A.提供一动态随机存取存储器的半导体基板；B.在该半导体基板的部份表面依序形成一第一栅极绝缘层与作为浮动栅极的一第一栅极层；以及C.掺杂离子在该第一栅极绝缘层的两侧的该半导通基板中，以分别形成与该第一栅极绝缘层邻接的两个重掺杂区，并分别作为汲极与源极，且于该第一栅极层上依序形成一第二栅极绝缘层与作为控制栅极的一第二栅极层。