用于低供电电压带隙基准的PSR增强电路

摘要

基准电压源是模拟/数模混合集成电路的基础部件，随着芯片供电电压的不断降低，电路动态范围减小，基准电压源的电源抑制能力变得尤为重要。针对这个问题，本发明公开了一种可用于低供电电压带隙基准电压源的电源抑制能力(Power Supply Rejection，PSR)增强电路，在保持低频段和高频段的电源抑制能力不变的情况下，能显著地增强中频段的电源抑制能力，并且不增加额外的功耗。本发明公开的电源抑制增强电路由两个MOS管(Mp1和Mp2)和一个电容(Cp1)组成，在任何以带隙基准为核心的基准源电路中均可使用该电路。

主权项

一种电路结构，包括：电源的扰动会通过带隙基准电压源中的电流镜直接影响三极管的电流，造成基准输出的抖动；针对这个问题，本发明在构成电流镜的晶体管的栅极引入电源扰动负反馈，稳定带隙基准中三极管的工作电流，从而保证基准输出的稳定；具体的电路形式为：带隙电压基准中的运算放大器(OPA)输出(OUT)连接到PMOS管(Mp1)的源极、PMOS管(Mp2)的漏极和栅极，PMOS管(Mp1)的漏极、栅极以及PMOS管(Mp2)的源级相连，并连接到带隙基准中的电流镜管(M1、M2、M3)的栅极，Mp1和Mp2的背栅分别连接到各自的源极，电容(Cp1)的一端连接至电源，另一端连接至带隙基准中电流镜管(M1、M2、M3)的栅极。