发明名称 一种能消除应力的发光二极管结构
摘要 一种能消除应力的发光二极管结构,涉及光电技术领域。本实用新型包括蓝宝石衬底和置于蓝宝石衬底上的外延层。其结构特点是,所述蓝宝石衬底内部形成有纵横交错的切割划痕。同现有技术相比,本实用新型能减小GaN基LED材料外延生长过程中产生的应力,提高GaN基LED外延材料的均匀性和GaN基LED芯片的产出良率,有利于外延衬底尺寸的进一步扩大。
申请公布号 CN202167535U 申请公布日期 2012.03.14
申请号 CN201120267704.7 申请日期 2011.07.27
申请人 南通同方半导体有限公司 发明人 吴东海;李志翔;蔡炯棋
分类号 H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种能消除应力的发光二极管结构,它包括蓝宝石衬底(21)和置于蓝宝石衬底(21)上的外延层(22),其特征在于,所述蓝宝石衬底(21)内部形成有纵横交错的切割划痕(23)。
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