发明名称 | 一种能消除应力的发光二极管结构 | ||
摘要 | 一种能消除应力的发光二极管结构,涉及光电技术领域。本实用新型包括蓝宝石衬底和置于蓝宝石衬底上的外延层。其结构特点是,所述蓝宝石衬底内部形成有纵横交错的切割划痕。同现有技术相比,本实用新型能减小GaN基LED材料外延生长过程中产生的应力,提高GaN基LED外延材料的均匀性和GaN基LED芯片的产出良率,有利于外延衬底尺寸的进一步扩大。 | ||
申请公布号 | CN202167535U | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
申请号 | CN201120267704.7 | 申请日期 | 2011.07.27 |
申请人 | 南通同方半导体有限公司 | 发明人 | 吴东海;李志翔;蔡炯棋 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种能消除应力的发光二极管结构,它包括蓝宝石衬底(21)和置于蓝宝石衬底(21)上的外延层(22),其特征在于,所述蓝宝石衬底(21)内部形成有纵横交错的切割划痕(23)。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |