发明名称 具有线性磁通密度的磁体
摘要 本发明涉及一种具有线性磁通密度的磁体,该磁体磁通密度线性地变化。尤指一种具有线性磁通密度的磁体,通过改变其磁体的形状和磁化模式,使用磁通传感器可以精确测量出与相对磁体线性变化的位移成比例的位移,因而使得磁通密度对应于位移线性地(或直线地)变化。本发明磁体配置成矩状形状或梯形形状,以便通过使用磁通传感器更精确地测量与相对磁体线性变化的位移成比例的位移,同时也使得磁通密度值对应于矩形形状或梯形形状的磁化模式线性地(直线地)变化。
申请公布号 CN101395681B 申请公布日期 2012.03.14
申请号 CN200780007282.6 申请日期 2007.01.03
申请人 (株)庆东NETWORK 发明人 金时焕
分类号 G01B7/14(2006.01)I;H01F7/02(2006.01)I 主分类号 G01B7/14(2006.01)I
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人 赵军;张瑾
主权项 一种具有线性磁通密度的磁体,所述磁体被用于测量距离的传感器中,其特征在于:所述磁体被配置成具有矩形形状,所述磁体的N极和S极以正弦波的形式从所述具有矩形形状的磁体的边缘沿着对角线方向被磁化。
地址 韩国首尔