| 发明名称 | 单片磁感应器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有低直流阻抗和小面积的单片磁感应器件。通过示例的方式，磁感应器件可以包括具有形成在衬底(例如，半导体衬底)底层中的沟槽、和形成在衬底中沟槽与衬底上层之间的孔。另外，磁感应器件可以包括嵌入或沉积在沟槽内的导电线圈。磁感应器件还可以包括形成在孔内的一组导电通孔，其将衬底的底层与上层电连接。此外，可以至少部分在导电线圈之上、在上层中形成一个或多个诸如有源器件之类的集成电路元件。适当时可以利用通孔将集成电路元件与导电线圈连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102376693A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110257318.4 | 申请日期 | 2011.08.23 |
| 申请人 | 香港科技大学;香港城市大学 | 发明人 | 单建安;许树源;伍荣翔 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 一种用于集成电路的磁感应器件，包括：半导体衬底；导电线圈，嵌入半导体衬底的底层；以及嵌入半导体衬底的通孔，其从半导体衬底的底层延伸到顶层，并且将导电线圈与顶层电连接。 | ||
| 地址 | 中国香港九龙清水湾 | ||