电子器件用的杂芘-基半导体材料

摘要

公开了包含有机半导体薄膜材料的有机半导体材料薄层，其中该薄膜材料基本包含杂芘化合物或衍生物。在一个实施方案中，薄膜晶体管包含有机半导体材料层。进一步公开了优选通过相对低温升华或溶液相沉积到基底上来制造有机薄膜晶体管器件的方法。

主权项

包含含1，6‑杂芘化合物的有机半导体材料薄膜的制品，在该化合物中在1，6‑位包含选自氧和硫的杂原子，其中该化合物的杂芘芳核上的任何位置可任选被取代，其中任何两个取代基可以合并成环，该环是饱和、不饱和或芳族稠环，其中该有机半导体材料薄膜能够表现出高于0.001cm2/Vs的电子迁移率。