| 发明名称 | 双镶嵌结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双镶嵌结构及其制造方法，所述双镶嵌结构的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一低介电常数介质层以及形成于所述第一低介电常数介质层中的沟槽和通孔；在所述第一低介电常数介质层上以及沟槽和通孔内形成金属材料；利用化学机械研磨工艺去除第一低介电常数介质层上的金属材料，该化学机械研磨工艺在第一低介电常数介质层表面形成部分损伤的第一介质层；去除所述损伤的第一介质层；在剩余的第一低介电常数介质层上形成第二低介电常数介质层。本发明可防止损伤的第一介质层对后续形成的金属互连线的性能产生不利影响，有利于提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102376597A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201010261552.X | 申请日期 | 2010.08.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;周俊卿 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一低介电常数介质层以及形成于所述第一低介电常数介质层中的沟槽和通孔；在所述第一低介电常数介质层上以及所述沟槽和通孔内形成金属材料；利用化学机械研磨工艺去除第一低介电常数介质层上的金属材料，该化学机械研磨工艺在第一低介电常数介质层表面形成部分损伤的第一介质层；去除所述损伤的第一介质层；在剩余的第一低介电常数介质层上形成第二低介电常数介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||