一种SOINMOS总剂量辐照建模方法

摘要

本发明公开了一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法，属于提参建模技术领域。所述方法包括：获取SOI NMOS辐照前模型参数，并在模型参数中加入与总剂量相关的参数，形成含有未知参数的SOI NMOS总剂量辐照模型；获取SOINMOS总剂量辐照模型中未知参数的数值，形成最终的总剂量辐照模型。通过本发明的建模方法，使得总剂量辐照模型更加全面可靠；另外，本发明还实现了对新加模型参数提取的自动化，使得复杂的提参建模变得更加简单和高效。

主权项

一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法，其特征在于，所述方法包括：获取SOI NMOS辐照前模型参数，并在所述模型参数中加入与总剂量相关的参数，形成含有未知参数的SOI NMOS总剂量辐照模型；获取所述SOI NMOS总剂量辐照模型中未知参数的数值，形成最终的总剂量辐照模型。